瑞萨mcu

　　eSIM支持在无需物理访问的情况下远程更换运营商。设备所有者与选定的移动网络运营商 (MNO) 签订协议，并通过物联网eSIM远程管理器 (eIM) 触发配置文件过程。这种全新的架构显著简化了设备所有者更换运营商的过程。
瑞萨mcu　　凭借 10V 栅极驱动器，该公司声称第 8 代的栅极电荷比其 CFD7 MOSFET 低 18%，比 P7 低 33%。“在400V电压下，该产品系列的输出电容比CFD7和P7低50%，”它补充说。“与CFD7相比，[CFD7和P7]的关断损耗降低了12%，反向恢复费用降低了3%。”
骁龙X Plus采用先进的高通Oryon CPU，这一定制的集成CPU性能领先竞品高达37%，同时功耗比竞品低54%[1] 。显著提升的CPU性能将树立移动计算新标杆，助力用户更高效地完成任务。骁龙X Plus还旨在满足终端侧AI应用的需求，采用具有45TOPS算力的高通Hexagon NPU，是全球快的笔记本电脑NPU。

推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块—VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造，为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。
　　UM311b通过大规模样本验证、全生命周期可靠性验证、广泛的兼容适配验证等多方位的验证测试，成为高稳定、高可靠业务场景的理想之选。
瑞萨mcu　　从结构上看，该装置是一种静磁波滤波器，由薄膜 YIG 微加工而成的腔体构成，生长在钆镓石榴石基板上。注入和输出换能器为铝制。
　　连接器额定电流0.5A，额定电压50V，触点间距1mm，组合高度4.5mm。适用于-40℃~+125℃的严苛环境，满足工业设备的应用需求。产品插头与插座采用防呆结构，可防止误插。公母座两端设有铁耳装置，有效增加了连接器在PCB板的焊接强度，同时分散应力，确保振动冲击环境下连接器的保持力。 连接器还设有定位柱结构，可使连接器在PCB板上的定位安装更准确。
　　作为一款64位商业级RISC-V处理器内核，Dubhe-70采用9+级流水线、三发射、超标量、乱序执行设计，支持丰富的RISC-V指令集——RV64GCBH。Dubhe-70 SPECint2006 7.2/GHz，性能对标Arm Cortex-A72/A510。

　　效率约为 90%，基板上的工作温度范围为 -40°C 至 50 摄氏度左右，超过该温度时，在 +70°C 时会线性降额至 20W 左右。确切的数字取决于型号和散热器尺寸。
瑞萨mcu　　HL8545/8545G具有漏极和源极电压钳位，有助于在关断周期内释放继电器、螺线管、泵和电机等电感负载中的能量。电源 (EBAT) 和负载 (ELOAD) 的能量直接在高边电源开关上耗散，通常无需额外的外部电路。这种高效的功率耗散允许在各种负载上进行更广泛的应用。
　　该系列器件的特点是开启和关闭速度快且开关损耗极小。此外，凭借具有850 V业界瞬态电压的700 V E模式，它们能够更好地抵御用户环境中的异常情况（例如电压峰值），提高整个系统的可靠性。
　　R&S SMB100B微波信号发生器的信号纯度极高，具有极低的单边带 (SSB) 相位噪声、出色的非谐波抑制能力以及适用于所有载波频率的低宽带噪声。对于希望获得更好的近端相位噪声和频率稳定性以及更小的温度性能变化的用户，除标准 OXCO参考振荡器外，还提供适用于所有频率范围的更高性能版本。