renesas芯片

推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET—SiZF4800LDT，将高边和低边TrenchFET Gen IV MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用功率转换，在提高功率密度和能效的同时，增强热性能，减少元器件数量并简化设计。
renesas芯片　　VL53L9的功能特性可提升相机辅助对焦性能，支持微距到远摄拍照，让静态图像和每秒60帧视频拍摄具有激光自动对焦、散焦和电影图效功能。虚拟现实(VR)系统利用准确的深度图和2D图可以提高3D重构的准确度，提高沉浸式游戏的身临其境感和虚拟现实体验，例如，虚拟访问或3D化身。此外，近距和远距检测小物体边缘的能力，让这款传感器适用于虚拟现实或SLAM（同时定位绘图）等应用。
。这两款高分辨率、小尺寸GS传感器具有领先的快门效率，能够以高帧率对高速运动的物体进行清晰、准确的捕捉。此外，还具有高灵敏度、低噪声和更高的近红外量子效率（QE），可以实现业界领先的弱光性能。

　　许多LTE-M模块的射频输出功率仅有20-21 dBm，而新款R52系列的射频输出功率为23 dBm，可确保在极具挑战性的覆盖条件下实现稳定通信。LEXI-R52具有与SARA-R52相同的功能特性，但其外观尺寸更加小巧（16x16x2毫米），非常适合可穿戴设备等超小型应用。
　　随着电子产品的不断微型化，瑞士微晶（Micro Crystal）通过推出的 C8 系列产品实现了重大飞跃。这一系列超小型实时时钟（RTC）模块，专门用于紧凑和轻型设计，为致力于开发更小、更高效电子设备的工程师铺平了道路。
renesas芯片　　LoRaWAN是在具有广域、长距离且低速、低功耗特征的LPWA（Low Power Wide Area）无线通信中，利用不需要无线基站授权的免执照频段（Sub-GHz频度）的规格。GNSS（Global Navigation Satellite System）是通过与地球上空轨道运行的人造卫星通信，可以准确定位地球上位置的全球定位卫星系统。
　　的KSC2轻触开关具有卓越的耐用性和更长的使用寿命，优于市场上的其他开关，不需要频繁更换。随着时间的推移，其稳定性能可增强用户信心，确保功能可靠。
　　得益于仅100μΩ 的超低原边阻抗，NSM2311相对于纳芯微已量产的集成式电流传感器NSM201x、NSM211x (1MHz)系列，通流能力得到了进一步提升，高达200A，满足了高功率应用的需求，进一步降低了紧凑系统中散热设计的难度。同时，NSM2311能在-40~150℃的宽温范围内稳定工作，适应各种极端环境条件。其高隔离性能和测量能力，为系统提供了更加可靠的保护和优化运行支持。

　　同样，MGJ2B和MGJ1 SIP系列直流-直流转换器也非常适合桥式电路中的IGBT/SiC和MOSFET栅极驱动，MGJ1 SIP还支持+12V、+8V和+6V/-3V的GaN电压。这两个系列具有高隔离和2.4kV的连续非安全额定值。UL62368具有 300Vrms的增强绝缘，能够满足在CMTI大于200kV/?s的电机驱动器和逆变器中使用的桥式电路中常见的dv/dt要求。
renesas芯片小尺寸FPGA产品中再添一款逻辑优化的全新莱迪思Certus-NX FPGA器件。新产品包括两款新器件，即Certus-NX-28和Certus-NX-09，拥有多种封装选项，可提供行业领先的低功耗、小尺寸和可靠性以及灵活的迁移选项。这些器件旨在加速广泛的通信、计算、工业和汽车应用。
TMR4101磁栅传感器芯片与磁极距为0.4mm的多对极磁栅配套使用。当芯片沿着磁栅的长度方向移动时，其内置的两个推挽式TMR半桥结构分别输出相位差为90°的正弦和余弦信号，信号的周期与相邻的一对南北磁极的总长度0.8mm相对应。基于TMR技术优异的高灵敏度和低噪声特性，TMR4101的正弦和余弦输出信号可通过模拟前端调理电路和数字信号解算完成对微位移的精准测量，在典型应用场景中可达到微米级的重复定位精度。
TE Connectivity HDC浮动式充电连接器采用缩小尺寸的混合设计和巧妙的浮动式系统，使AGV/AMR能自动修正插配位置。该连接器采电源和信号混合设计，包含两个250V、80A电源引脚（额定冲击电压为4.0KV）和四个60V、10A信号引脚（额定冲击电压为1.5KV）。其浮动式设计提供0.5mm的公差。这些连接器的紧凑式混合设计有助于满足缩小封装尺寸、减少空间占用和减轻重量的要求，即使在严苛的工业环境中也能帮助实现车辆的小型化。TE HDC浮动式充电连接器具有多达30,000次插配循环的耐用性，是一款高度可靠、功能强大的解决方案。