adi亚德诺半导体

　　OIS是光学图像防抖稳定系统的简称，在摄像行业有比较广泛的应用，主要作用于数码相机、手机摄像头等，通过物理技术来实现镜头与机身产生抖动方向的补偿，使拍摄画面变得稳定。相较于传统的集成式OIS产品，MSD4100WA提供了更低成本的解决方案，通过内部集成的线性霍尔传感器替代了原有的高成本TMR/GaAs位置传感器，同时硬件PID电路的实现也省去了内部集成的MCU，从而大大降低了整体的硬件成本。
adi亚德诺半导体自今年1月发布初代1470nm产品以来，通过多次结构迭代与升级，近日正式发布全新升级款1470nm 3W以及1470nm 5W激光芯片，新一代1470nm芯片电光转换效率由初代25%提升至36%，达到业内领先水平。
　　凭借LPDDR5X DRAM的封装技术，三星提供了其业内薄，采用四层堆叠结构[1]的12纳米级LPDDR DRAM。与上一代产品相比，厚度降低约9%，耐热性能提升约21.2%。

TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。
　　现有2款采用新型 P2 产品演示板可供展示：一款是 CGD 与法国公共研发机构 IFP Energies nouvelles 合作开发的单相变三相汽车逆变器演示板；另一款是3kW图腾柱功率因数校正演示板。
adi亚德诺半导体　　随着 PSoCTM 4 HVPA-144K 的推出，英飞凌为扩展其 PSoCTM微控制器产品组合，以便将电动汽车的锂离子电池管理系统纳入其中奠定了基础。该产品组合不久后将加入多款用于监控和管理高压（400 V及以上）与低压（12 V/48 V）电池的产品，从而进一步推动未来电动汽车的应用。
　　在高灵敏度模式下，OCH1970的灵敏度达到1.1μT/LSB，测量量程为±36mT；宽量程模式下，灵敏度达3.1μT/LSB，量程范围为：XY轴±34.9mT；Z轴±101.5mT，实现更快、更准确的检测。
XPLR-IOT-1采用双核Arm Cortex-M33应用微处理器，时钟频率高达128/64MHz，内置512 + 64kB RAM和1024 + 256kB闪存，支持Wi-Fi、蓝牙和LTE-M/NB-IoT移动通信，适用于全球许多国家/地区的移动网络。套件包含专用的低功耗GNSS接收器，可提供的定位数据，此外用户还能借助Nano SIM插槽连接到希望使用的网络运营商。

　　压敏电阻是处理电压严重异常情况的基本电路元件。在汽车应用中，它们可以保护精密的电子控制单元，是符合AEC-Q200和IEC 61000-4-2等汽车级安全标准的关键。
adi亚德诺半导体　　驾驶辅助系统（ADAS）和自动驾驶（AD）的日益普及，对LFM、HDR和高分辨率图像传感器提出了更高的要求。例如，LED交通灯的脉冲照明为许多成像解决方案带来了严峻的挑战，使ADAS和AD系统无法正确检测发光的交通标志。豪威集团利用其2.1微米单像素TheiaCel?技术解决了这一问题。
　　AL1783Q 产品符合汽车规格* ，符合 AEC-Q100 标准，在 IATF 16949 的工厂中制造，并支持 PPAP 文件。AL1783Q 采用节省空间的 TSSOP-16EP (5.1mm x 6.6mm) 封装，以 2,500 件为单位供应。
由此用比以前更少数量的电容器就可以抑制噪声，从而助力实现电子设备的小型化和高功能化。LXLC21系列已经开始量产，并可提供样品。