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　　此外，针对Matter协议强调的安全性，FLM163D和FLM263D严格遵循相应的安全标准，包括安全固件和Mbed TLS加密等，可为连接设备提供强大保护。
xilinx vitis　　今天推出的新产品「S-82K5B/M5B系列」是3节~5节串联用二次保护用IC、具有以下特点：（1）搭载级联功能（通过连接多个IC，能够保护比一个保护IC所能应对的电池数量更多的电池的功能）、通过比以往大幅度减少的部件结构，实现了6节串联以上的二次电池的电压监视；（2）搭载了IC之间通信的开路检测电路(※1)，可进行更安全的电压监视；（3）备有过充电检测电压精度±20mV的S-82K5B系列和实现业界水准(※2)高精度±15mV的S-82M5B系列的2个系列的产品阵容，可以灵活应对客户的需求。
　　Particle 自称是一家“全栈物联网平台即服务”公司，而Tachyon 旨在与其服务一起运行，但也可以独立运营。
　　“就像在 2024 年运营自己的服务器场没有意义一样，从头开始构建物联网基础设施也没有意义。如果你要大规模部署产品，你应该依靠其他公司提供属于‘无差别重担’类别的基础设施——这是我们从亚马逊网络服务中借用的术语，”

　　目前，该系列产品包含8种产品，涵盖3.3 V、5 V、12 V、20 V四种电压等级，适用于各种供电电压的过压保护，每种电压都有两种类型——自动重试型（eFuse IC自动恢复电路）和锁存型（通过外部信号触发恢复）。客户可以根据自己的需求和设备尺寸选择合适的产品。
　　三星深耕AI科技与创新的同时，更积极履行社会责任。通过SFT科普创新大赛等教育项目，助力中国青少年科技人才的培养，同时在绿色、科技、乡村等多领域也在努力回馈中国社会。
xilinx vitis　　ESP32-H2-MINI-1x模组很适合通过结合ESP Wi-Fi SoC的方式，来构建Thread终端设备、Thread边界路由器与Matter网桥。结构紧凑的ESP32-H2-MINI-1x模组与ESP32-C3-MINI和ESP32-C6-MINI模组引脚兼容。ESP32-H2-MINI-1x模组拥有320KB SRAM（其中有16KB缓存）、128KB ROM和4KB LP内存，同时内置2MB或4MB SiP闪存。
NVMe NANDrive EX系列具有卓越的数据保持能力和7.5万、15万或40万擦写次数（P/E）的超高耐久性（可达17,800 TBW（TeraBytes Written））。该产品系列目前有20 GB、40 GB、80 GB和160 GB多种容量供客户选择。为了支持长寿命应用的客户，NVMe NANDrive EX 系列固态硬盘也包含在绿芯长期支持 (LTA) 方案中 (https://bit.ly/SSD-LTA-program)。
　　Nexperia推出了采用5 x 6和8 x 8mm封装LFPAK封装的80和100V MOSFET，Rds（on）范围为1.8至15mΩ，100V器件的Rds（on）范围为2.07mΩ以上。
　　该公司表示：“许多MOSFET制造商在将其器件的开关性能与其他产品进行比较时，专注于通过低Qg（总）和低Qgd来实现高效率。然而，Nexperia认为Qrr同样重要，因为它会影响尖峰效应，进而影响器件切换过程中产生的电磁干扰（EMI）量。

　　MSD4100WA内部集成的16bits高精度ADC，用于将硅基线性霍尔的模拟信号转成数字信号；H桥恒流驱动模块可以提供±170mA的电流驱动能力；高精度的PID算法搭配美新自有的陀螺相关算法，可以提供压制比优于-35dB的拍照防抖效果。
xilinx vitis　　汽车产业正趋向使用更高电压的电压轨为车辆子系统供电，电池电压也从 12V 和 24V 提升到 48V。为了应对这种发展，AL1783Q 设计为可在 55V 电压轨下运作，因此本产品比其他通常只能在 40V 电压下运作的 LED 驱动器更具优势。此功能也使 AL1783Q 产品可支持不断提升的 LED 链电压。
　　新系列电容器符合 RoHS 标准，直径为 85 mm 或 116 mm 柱形铝制外壳，由合成树脂顶盖。其金属化聚丙烯薄膜 采用干燥的环氧树脂密封，并通过 M6 螺柱端子实现安全的电气连接，底部使用 M12 螺栓进行机械固定。
　　STGAP2SICSA 在栅极驱动通道和低压控制之间具有电气隔离，可在高达1700V (SO-8) 和 1200V (SO-8W) 的电压工作。其小于45ns 的输入到输出传播时间可确保高PWM 精度，并凭借±100V/ns的共模瞬态抗扰度(CMTI) 实现可靠的开关。内置保护包括欠压锁定(UVLO)，防止SiC电源开关在低效率或不安全条件下运行，以及热关断，如果检测到结温过高，则将两个驱动器输出调低。